Лекция «Полупроводниковые гетероструктуры» Егоров Антон Юрьевич д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
23 мая 2012 года в 11:00
ауд. 119 (гл.корпус)
приглашаются все желающие
Егоров Антон Юрьевич – российский физик, заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий. В 2011 году защитил докторскую диссертацию на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N – новый материал оптоэлектроники», в декабре того же года избран членом-корреспондентом РАН.
Работы Антона Юрьевича связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.
23 мая 2012 года в 11:00
ауд. 119 (гл.корпус)
приглашаются все желающие
Егоров Антон Юрьевич – российский физик, заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий. В 2011 году защитил докторскую диссертацию на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N – новый материал оптоэлектроники», в декабре того же года избран членом-корреспондентом РАН.
Работы Антона Юрьевича связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.
